主題：三安光電榮獲國家科學技術進步獎一等獎

1月10日上午，國家科學技術獎勵大會在北京人民大會堂舉行。三安光電以“高光效長壽命半導體照明關鍵技術與產業化”項目，與中科院等聯袂榮獲國家科學技術進步獎一等獎。

　　記者了解到，此次三安光電與中科院半導體研究所，通過共同承擔國家科研任務、簽署技術合作協議等方式開展密切合作，攻關半導體照明產品光電轉化效率、長期工作可靠性等核心技術難題。最終，項目從半導體照明材料、芯片、封裝、模組與應用全鏈條形成了具有自主知識產權的高光效長壽命半導體照明全套技術，實現了國內產業龍頭企業芯片技術產業化與核心器件國產化。

　　“此次項目成果包括p型氮化物摻雜與量子阱結構設計、微納圖形化襯底及成核技術、新型緩沖層的高質量氮化物外延技術、激光誘導光提取技術等多項外延芯片技術率先在三安光電進行推廣與量產。”三安光電副總經理蔡文必接受采訪時表示，這些成果促進了三安光電外延芯片的技術發展，使得我國半導體照明芯片由完全依賴進口到自主可控全面國產化，實現了替代進口。

　　對于LED產業發展前景，蔡文必表示，以氮化物基發光二極管（LED）為核心器件的新一代半導體照明光源具有高效節能、綠色環保的特點，是全球最有發展前景的高技術產業之一。隨著各國淘汰白熾燈計劃進一步實施，LED 通用照明市場將呈現爆發式增長。

　　“‘再造一個三安’已踏出新的征程。”蔡文必進一步介紹說，為鞏固三安光電在傳統半導體照明領先地位，三安光電也在繼續聯合中科院等科研機構，向高端、新興半導體照明領域加快拓展。

　　目前，三安光電分別投資高端氮化鎵LED外延芯片、高端砷化鎵LED外延芯片、Mini/Micro LED芯片、車用LED照明等領域，公司在“泉州芯谷”南安園區建設的半導體項目和湖北省鄂州市的Mini/Micro LED顯示芯片產業化項目建設進展順利。

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